碳化硅化學氣相涂層/生長爐

產(chǎn)品描述：: 用于半導體領域的石墨或陶瓷表面的化學氣相涂層或生長。

應用范圍：: 熱彎模具、導流筒、半導體坩堝、外延載盤、晶舟、爐管等。產(chǎn)品純度≥99.999%/99.9999%。

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技術特征
產(chǎn)品規(guī)格
配置選擇

碳化硅化學氣相涂層/生長爐技術特征

采用先進的進氣控制技術，能精密控制MTS/SiCl4等的流量和壓力，爐膛內(nèi)沉積壓力穩(wěn)定，壓力波動??；

多通道工藝氣路，配合旋轉(zhuǎn)料臺，無沉積死角；

溫度場與氣流場耦合采用仿真輔助設計，溫度場與氣流場的均勻性好；

多級尾氣處理系統(tǒng)，能高效處理腐蝕性尾氣、固體副產(chǎn)物，環(huán)境友好；

爐殼采用耐腐蝕不銹鋼材質(zhì)，熱場材料采用低灰分材質(zhì)，嚴格把控進氣管路材質(zhì)（選用EP級材質(zhì)）；

適于工藝氣氛：真空/H2/N2/Ar/MTS等。

碳化硅化學氣相涂層/生長爐產(chǎn)品規(guī)格

參數(shù)\型號	HCVD-101015-SiC	HCVD-121220-SiC	VCVD-0608-SiC	VCVD-0812-SiC	VCVD-1015-SiC	VCVD-1218-SiC	VCVD-1315-SiC	VCVD-1520-SiC
工作區(qū)尺寸 W×H×L（mm）	1000×1000×1500	1200×1200×2000	600×800	800×1200	1000×1500	1200×1800	1300×1500	1500×2000
最高溫度（℃）	1500
溫度均勻性（℃）	±10~±20		±5~±20
極限真空度（Pa）	1-100
壓升率（Pa/h）	0.67

以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進行調(diào)整，不作為驗收依據(jù)，具體以技術方案和協(xié)議為準。

碳化硅化學氣相涂層/生長爐配置選擇

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